Silicon karbie v prahu za brušenje poliranja

Proizvodnja silicijevega karbida vključuje več zapletenih procesov. Ena glavnih metod je proces Acheson, ki je bil razvit v poznem 19. stoletju. V tem postopku se mešanica silicijevega peska in naftnega koksa segreje v električni uporni peči, da se temperature okoli 2000 - 2500. Visoka temperatura povzroči kemično reakcijo med silicijevim dioksidom v peskom in ogljikom v koksu, kar ima za posledico nastanek silicijevega karbida. Vendar postopek Acheson običajno proizvaja silicijev karbid z nečistočami, kar zahteva nadaljnje korake čiščenja.

Sodobne proizvodne tehnike se osredotočajo na proizvodnjo visoke čistosti, enojnega kristalnega silicijevega karbida za polprevodniške aplikacije. Kemična nalaganje hlapov (CVD) je široko uporabljena metoda za gojenje enojnih enojnih kristalov s kakovosti. Pri KVB se v visoko temperaturno reaktor vnese mešanica hlapnih silicijevih in vsebuje prekurzorje, ki vsebujejo ogljik. Ti predhodniki razgradijo in odlagajo silicijeve in ogljikove atome na semenski kristal, postopoma rastejo velik, enojni kristalni sic. Proces rasti je treba natančno nadzorovati, da se zagotovi kakovost kristala, saj lahko kakršne koli okvare znatno vplivajo na delovanje naprav na osnovi SiC. Po rasti kristalov se vrvice razrežejo, polirajo in predelajo v rezine, ki se nato uporabljajo za izdelavo različnih elektronskih in optoelektronskih naprav na osnovi sic.

Zhenan je podjetje, specializirano za metalurške in ognjevzdržne izdelke, ki vključujejo proizvodnjo, predelavo, prodajo in uvoz in izvoz podjetij. Osredotočeni smo na gradnjo predane ekipe strokovnjakov po vsem svetu. V Zhenanu smo zavezani zagotoviti popolne rešitve z zagotavljanjem "prave kakovosti in količine", da bi ustrezali procesom naše stranke.

Priljubljena oznake: Silicon karbie v prahu za brušenje poliranja, China Silicon Carbie v prahu za brušenje proizvajalcev poliranja, dobaviteljev, tovarni