Eden od silicijevega karbida na visoki ravni

S široko uporaboSilicijev karbidTranzistorske naprave kovinskega oksida polprevodnika polja (MOSFET), težave z zanesljivostjo vrat, s katerimi se soočajo, je treba nujno rešiti, ta prispevek pregleduje strukturo vrat ravninskih vrat SIC navpične naprave moči MOSFET in metode presejanja kisika vrat, ki se običajno uporabljajo v industriji, in razpravljajo med temi fizičnimi modeli zgodnjega neuspeha vrat.

1.Ogljik/Silicijev karbidje nova vrsta visokozmogljivega gradiva za odpornost na keramiko, ki se je razvila v zadnjih letih, ki ima vrsto prednosti, kot so nizka gostota, dobra odpornost na oksidacijo, visoka zmogljivost trenja in stabilna zmogljivost, in ima široko paleto možnosti uporabe na področju visokoenergijskih obremenitev, kot so visoki vlaki, letali in težka vozila. Reaktivna impregnacija taline je učinkovit način za pripravo kompozitov za trenje ogljikovega/silicijevega karbida. Na podlagi zasnove kompozitov za trenje ogljikovega/silicijevega karbida se analizirajo termodinamični pogoji procesa penetracije reaktivne taline, osnovne značilnosti in kinetični zakoni reakcijskega sistema SI-C se analizirajo v globini. V tem prispevku sistematično obravnavajo mikrostrukturne značilnosti in lastnosti trenja in obrabe dveh značilnih kompozitov C/SIC, kot sta kratko oblikovanje vlaken in tridimenzionalna igla. Hkrati se analizira uporaba naprednih metod zaznavanja inženiringa, kot so infrardeče toplotno slikanje, rentgenski prenos in industrijski CT v komponentah za trenje ogljikovega/silicijevega karbida.

Priljubljena oznake: Eden od silicijevega karbida na visoki ravni, Kitajska, eden izmed proizvajalcev silicijevega karbida na visoki ravni, dobavitelji, tovarna