Silicijev nitrid na visoki ravni

Delno kristalizirane silicijeve mozaične mikrostrukture, ki jih najdemo vSilicijev nitridFilmi, ki jih je pripravil LPCVD. Odvisno od rastočih pogojev in procesa se lestvica strukture giblje od desetine do sto nanometrov. Based on the stress test results and transmission electron microscopy observation results of SiNx films grown under different conditions, the genesis of the microstructure of silicon-rich SiNx films and their interaction with the stress in the film were analyzed, and the LPCVD growth process of silicon-rich SiNx films was optimized, which greatly reduced the tensile stress of the film, and the unsupported film-forming area could reach 40 mm × 40 mm. Na podlagi rezultatov te študije je LPCVD realiziral nadzorovano rast membran Sinx z odločnim nateznim stresom.

1.Silicijev nitridTanke filme (sin _ x) smo pripravili s tehnologijo nizko tlačnega kemičnega nalaganja hlapov (LPCVD) z uporabo silona in amoniaka kot virov silicija in dušika ter dušik z visoko čistočo kot nosilnim plin. Kinetiko rasti filmov Sin _ x je preučevala ellipsometry, lastnosti filmov greha {{3} x je bila značilna Fourierova infrardeča spektroskopija in rentgenska fotoelektronska spektroskopija, mikroskopska mikrofologija SIN {5}. V enakih pogojih drugih procesov se hitrost rasti filma Sin _ x monotonično poveča s povečanjem delovnega tlaka, razmerje (r) pretoka amoniaka in silona v dovodnem plinu pa nasprotno vpliva na hitrost rasti filma. Ko se reakcijska temperatura zvišuje, se hitrost nanašanja postopoma povečuje, doseže največ približno 840 stopinj in se nato hitro zmanjša. Ko se uporablja R2, dobimo sin sin _ x tanek film (x1.33). Ko se uporablja R4, dobimo sin _ x s skoraj stojahiometričnim (z≈1.33).

Priljubljena oznake: Silicijev nitrid na visoki ravni, proizvajalci silicijevega nitrida, dobavitelji, tovarni